エコカー（電気自動車（EV）、ハイブリッド車（HV））といった環境対応型車両の普及が急速に進む中、省電力技術を実現するためのパワー半導体の重要性がますます高まっています。また、鉄道車両や家電製品においても、省エネ性能を向上させるために高効率なパワー半導体の採用が拡大しています。特に、SiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）といったワイドバンドギャップ材料を用いた半導体基板の利用が拡大しています。これらの材料は、従来のシリコン（Si）基板に比べて高い耐圧特性や高速スイッチング性能という特長があり、次世代のパワー半導体デバイスの基盤技術として注目されています。
一般的に、半導体デバイスは製造過程における金属汚染の影響を受けやすく、金属汚染がデバイス性能や信頼性に重大な影響を与えることが知られています。金属汚染を迅速・精密に測定・管理することで、パワー半導体デバイスの性能を最大限に引き出し、製造プロセス全体の歩留まり向上を実現してロスを低減します。特に、EV、HV、鉄道車両などの厳しい動作条件下で求められる高信頼性のデバイス製造において、金属汚染管理はパワー半導体メーカーの競争力を高める重要な要素です。このような課題を解決するため、パワー半導体製造プロセスでは、全反射蛍光X線分析装置（TXRF）を用いた金属汚染測定が広く浸透しています。
リガクのTXRFは、ウェーハエッジの測定を含む“フルマッピング”機能、化合物半導体基板特有の妨害ピークを回避する“拡張回折線回避”機能、高感度分析を実現する“親水性VPD”機能などが搭載可能で、SiCやGaN基板の金属汚染測定において基板全面にわたる高精度・高感度な金属汚染測定を実現します。リガクはTXRFによるパワー半導体製造プロセスの金属汚染測定を通じて、地球環境の維持・向上に貢献します。
TXRF 3760の詳細はこちら
TXRF-V310の詳細はこちら
【プレスリリース】リガクのX線装置が「地方発明表彰」で特別賞2件を2年連続受賞